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贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响

时间:2022-03-17 11:20:58 浏览次数:

总结分析,对于提升氮化镓器件的整体性能的提升,以及解决器件的可靠性问题,扩大其市场化应用具有重要的研究意义。

参考文献

[1]Van de Walle,G.Chris,Jorg Neugebauer. Journal of applied physics 95.8 (2004):3851-3879.

[2]B.Heying,et al.Applied physics letters 68.5(1996):643-645.

[3]S.J.Rosner,et al.Applied physics letters 70.4(1997):420-422.

作者单位

宁夏医科大学 宁夏回族自治区银川市 750004

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